型号 | SI7956DP-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC |
SI7956DP-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI7956DP-T1-GE3 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 105 毫欧 @ 4.1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
功率 - 最大 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 双 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 Dual |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | SI7956DP-T1-GE3CT |